Формули й таблиці

ФІЗИКА

ЕЛЕКТРОСТАТИКА

Заряд тіла

q — заряд тіла, [Kл];

е — елементарний заряд, [Kл];

N — число електронів;

N_p — число протонів.

Закон збереження електричного заряду

q ₁, q ₂,... q_n — заряди взаємодіючих тіл, [Kл].

Закон Кулона

F — сила електричної взаємодії, [H];

r — відстань між зарядами, [м];

ε ₀ —електрична постійна, ε ₀ = 8,85 · 10^-12 , [Ф/м];

k —коефіцієнт пропорційності, k = 9 · 10⁹, [(Н · м²)/Kл].

В однорідному діелектрику

ε — діелектрична проникність середовища, величина, що вказує, у скільки разів зменшується сила електростатичної взаємодії в даному середовищі

Напруженість електростатичного поля

— напруженість електростатичного поля, [Н/Kл];

— сила, що діє з боку електростатичного поля, [H];

_1,2 — напруженість електростатичного поля, створеного відповідним зарядом

Поле провідної сфери

R — радіус сфери, [м];

r — відстань до досліджуваної точки поля, [м].

Поверхнева густина заряду

σ — поверхнева густина заряду, [Кл/м² ];

S — площа поверхні, [м² ].

Поле рівномірно зарядженої нескінченної площини

Потенційна енергія заряду

W_p — потенційна енергія заряду, [Дж].

Робота сил електростатичного поля

А — робота сил електростатичного поля, [Дж];

d — переміщення, [м];

ΔW_p — зміна потенційної енергії

Потенціал

φ — потенціал, [Дж/Кл = B];

φ ₁, φ ₂,..., φ _n — потенціал відповідного поля;

Δφ — різниця потенціалів.

Напруга

U — напруга, [B].

Електроємність

c – електроємність.

Плоский конденсатор

S — площа пластини, [м² ];

d — відстань між пластинами, [м];

ε ₀ — електрична постійна, ε ₀ = 8,85 · 10^-12 , [Ф/м² ];

ε — діелектрична проникність

W_p —потенційна енергія, [Дж].

Сполучення конденсаторів

Паралельне сполучення

q ₁ — заряд на обкладках 1-го конденсатора;

q ₂ — заряд на обкладках 2-го конденсатора;

q — заряд на обкладках нового конденсатора;

U ₁ — напруга між обкладками 1-го конденсатора;

U ₂ — напруга між обкладками 2-го конденсатора.

Послідовне сполучення

U — напруга між обкладками нового конденсатора;

С ₁ — ємність 1-го конденсатора;

С₂ — ємність 2-го конденсатора;

C — ємність нового конденсатора.